“GaN 전력반도체 시장 연 40% 성장 전망”…DB하이텍, 650V GaN HEMT 공정 개발 완료

DB하이텍이 전력반도체 시장의 고성장세에 대응하기 위해 650V E-Mode GaN HEMT(전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터) 공정 개발을 완료하고, 오는 10월 말부터 고객을 대상으로 시험 생산용 GaN 전용 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼) 제공에 나선다. 11일 회사 발표에 따르면 GaN(갈륨나이트라이드) 기반 반도체는 기존 실리콘(Si) 대비 고전압·고주파·고온 내성이 뛰어나고 에너지 효율이 높아 차세대 전력반도체 시장을 주도하고 있다.

특히 전기차, AI 데이터센터, 고속 충전, 5G, 로봇 등 산업에서 수요가 급증하는 추세다. 시장조사기관 욜디벨롭먼트는 글로벌 GaN 시장 규모가 2025년 5억3,000만 달러에서 2029년 20억1,300만 달러로, 연평균 40%에 육박하는 성장률을 기록할 것으로 내다봤다. 업계는 전기차와 데이터센터 등 첨단 산업별 맞춤형 고전압 반도체 필요성이 부각되면서 고성능 파운드리 확보 경쟁도 한층 가속화할 것으로 보고 있다.

DB하이텍이 이번에 개발한 650V E-Mode GaN HEMT 공정은 고속 스위칭과 높은 안정성이 특징으로, 전기차 충전기, 대형 데이터센터 전력변환기, 5G 통신 장비 등 다양한 고전력·고신뢰성 응용처에 적용이 가능하다. 회사는 2022년부터 GaN, SiC 등 화합물반도체를 차세대 성장축으로 삼아 공정 개발에 집중해왔으며, 기존 Si(실리콘) 기반 전력반도체 사업에서 세계 최초 0.18마이크로미터 BCDMOS를 개발하는 등 기술 리더십도 강화한 바 있다. 이번 GaN 공정 투자로 DB하이텍은 전력반도체 파운드리 경쟁력을 확장하게 됐다.

전문가들은 이 같은 기술혁신이 국내 반도체 산업의 포트폴리오 고도화와 첨단 산업별 안정적 기초소재 공급에 기여할 것으로 평가했다. 업계 관계자는 “GaN 공정은 에너지 효율 향상과 전자 기기 소형화 수요 확대에 맞춰 중장기적으로 시장의 구조적 변화를 이끌 것”이라고 진단했다.

회사 측은 200V, 650V GaN 공정의 IC(집적회로) 설계 형태 개발을 2026년 말까지 단계적으로 마치고, 이후 시장 수요에 맞춰 더 넓은 전압 영역까지 제품군을 확대해 나간다는 방침이다. 전력반도체 특화 정책 등 정부의 연구개발 지원 확대도 지속될 전망이다.

GaN 전력반도체 시장이 연평균 40%라는 가파른 성장세를 보이는 가운데, 국내 파운드리 기업의 선제적 기술 투자 영향에 업계 이목이 집중되고 있다. 향후 정책 및 시장 환경 변화에 따라 국내 전력반도체 산업의 경쟁력이 추가로 강화될지 주목된다.