“세계 최초 양산용 High NA EUV 도입”…SK하이닉스, 첨단 반도체 초격차 시동

SK하이닉스가 세계 최초로 양산용 High NA EUV(극자외선) 노광 장비를 국내 이천 M16 팹에 도입하며 첨단 반도체 시장에서 기술 경쟁력을 한층 끌어올리고 있다. 9월 3일 발표에 따르면 SK하이닉스는 이날 도입 기념행사를 열고, 네덜란드 ASML의 차세대 노광 장비 ‘트윈스캔 EXE:5200B’를 본격 가동한다. 2나노미터 이하 초정밀 회로 설계가 가능한 이번 장비는 기존 EUV 대비 렌즈 수차(NA)를 0.33에서 0.55까지 높여 집적도와 성능을 대폭 개선한 것이 특징이다.

업계 관계자들은 SK하이닉스의 선제적 투자가 차세대 메모리 시장 내 기술주도권 확보는 물론, 4세대(1a) D램 이후 제품 개발 가속화로 이어질 것으로 내다보고 있다. 반도체 산업 특성상 공정 미세화와 집적도 증대가 원가 절감과 고성능 제품 양산을 좌우하는 만큼, 단순 공정 전환을 넘어 글로벌 시장에서 초격차를 키우는 계기가 될 것이라는 평가다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장을 비롯해 김병찬 ASML코리아 사장 등 주요 관계자들은 “첨단 장비 도입을 통한 상호 기술 협력과 공급망 안정화”를 위한 의지를 다시 한번 확인했다. 전문가들은 초미세 공정 경쟁에서 한발 앞서나간 SK하이닉스의 행보가 글로벌 반도체 공급망 내 신뢰성 강화 및 고객 요구 대응력 제고에 중요한 전환점이 될 수 있다고 진단한다.

정부와 업계는 전략산업인 반도체 경쟁력 강화와 민간의 선도적 투자에 맞춰, 관련 장비·기술 조기 상용화, 인프라 확충 지원 등 지속적 정책 뒷받침 방안도 모색 중이다. 이번 High NA EUV 장비 조기 도입은 글로벌 업체 간 미세공정 경쟁이 심화되는 가운데 기술격차 유지에 중요한 선례가 될 전망이다.

SK하이닉스는 “첨단 제품 개발과 공급망 신뢰성 강화로 고객 니즈에 선제적으로 대응하겠다”고 밝혔으며, 앞으로의 성과에 시장의 관심이 쏠리고 있다. 향후 정책 방향과 시장 흐름은 글로벌 수요, 공급망 관리, 기술 표준 경쟁의 변화에 따라 좌우될 것으로 예상된다.