“삼성 10나노대 D램 기술 유출”…전직 임직원 3명 구속 기소

삼성전자의 국가 핵심 반도체 기술이 중국 업체에 유출된 사건과 관련해, 전직 임직원 3명이 구속 기소되며 산업기술 보호의 필요성이 재차 주목받고 있다.  

서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 1일, 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 전직 삼성전자 임원과 연구원 등 3명을 구속 상태로 재판에 넘겼다고 밝혔다. 이들은 삼성전자를 퇴사한 후 중국 청신메모리반도체(CXMT)에 이직해, 삼성전자의 18나노 D램 공정 기술을 부정하게 이용한 혐의를 받고 있다. 해당 기술은 삼성전자가 1조6천억원을 투입해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램의 핵심 공정으로, 수백 단계의 제조 공정이 포함된 국가 핵심 기술로 분류된다.

검찰 조사에 따르면, CXMT는 설립 초기부터 삼성전자 출신 인력을 영입해 D램 개발에 착수했다. 전직 임직자들은 삼성전자의 실제 제품을 분해하고, 사전에 유출한 자료를 활용해 기술을 검증한 것으로 파악됐다. 이 기술 덕분에 CXMT는 2023년 중국 최초로 18나노 D램 양산에 성공했다.

또한, 이들은 CXMT로부터 기존 삼성전자 연봉의 3~5배에 달하는 15억~30억원을 4~6년에 걸쳐 지급받기로 합의한 사실도 드러났다. 검찰은 “이로 인해 삼성전자가 지난해에만 약 5조원의 매출 손실을 입은 것으로 추정되며, 앞으로 수십조원대의 추가 피해가 우려된다”고 밝혔다.

이번 사건은 첨단 기술 유출에 따른 국가 경제 및 안보 위협 현실을 드러냈다는 점에서 논란이 커지고 있다. 특히, 현행 산업기술 보호체계의 허점과 해외 인력 유출 방지 장치의 실효성에 대한 우려가 이어진다. 최근 유사 사례 역시 반복되고 있어, 제도 개선 요구가 커지는 상황이다.

검찰 관계자는 “피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 대해 앞으로도 엄정하게 대응해 나가겠다”고 강조했다. 한편, IT업계와 시민사회 일각에서는 기술보호 제도 강화와 인력 관리 장치 마련을 촉구하는 목소리가 늘고 있다.

해당 사건은 후속 재판 절차와 더불어, 산업기술 보호 체계 전반에 대한 정책적 논의로 이어질 전망이다.